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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      900

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      1100

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      5

      通道极性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      700V,1100mΩ,5A,N沟道（dào）基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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